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PMEG2002ESF315

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PMEG2002ESF315 技术参数

PMEG2002ESF,315 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 2DSN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:490mV @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:1.9ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3.5μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 PMEG2002AESFBYL 功能描述:DIODE SCHTKY 20V 200MA DSN0603B2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:375mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.9ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:45μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）供应商器件封装:DSN0603B-2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 PMEG2002AESF,315 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 2DSN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:420mV @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:1.9ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:45μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 PMEG1201AESFYL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:12V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:200mV @ 30mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.2ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 12V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 PMEG1030EJ,115 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 电流 - 平均整流（Io）:3A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:530mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:85pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:PMEG1030 标准包装:1 PMEG2005EB,115 PMEG2005EGWJ PMEG2005EGWX PMEG2005EH,115 PMEG2005EJ,115 PMEG2005EL,315 PMEG2005ELD,315 PMEG2005EPK,315 PMEG2005ESFYL PMEG2005ET,215 PMEG2010AEB,115 PMEG2010AEBF PMEG2010AEH,115 PMEG2010AEJ,115 PMEG2010AEK,115 PMEG2010AET,215 PMEG2010BEA,115 PMEG2010BELD,315