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PMH-10H-AC220V

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    PMH-10H-AC220V

    PMH-10H-AC220V

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Panasonic Industrial Auto

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,原装正品

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PMH-10H-AC220V PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PMH-10H-AC220V 技术参数
  • PMGD8000LN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):125mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):18.5pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD780SN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):490mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):920 毫欧 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.05nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):23pF @ 30V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD400UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):710mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD370XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):740mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):37pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD290XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):860mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):34pF @ 20V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMH1206-121 PMH1206-300 PMH1206-601 PMH1206-700 PMH1206-900 PMH1210-300 PMH1210-500 PMH1210-800 PMH15GY PMH1806-101 PMH1806-600 PMH1806-800 PMH1812-121 PMH1812-900 PMH-24V100WCAA PMH-24V100WCAH PMH-24V100WCAJ PMH-24V150WCBA
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