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PMH1210-800

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMH1210-800
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Bourns Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

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您是不是要找： PMH15GY PMH1806-101 PMH1806-600 PMH1806-800 PMH1812-121 PMH1812-900 PMH-24V100WCAA PMH-24V100WCAH PMH-24V100WCAJ

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功能描述
电磁干扰滤波珠子、扼流圈和阵列 80 ohms 25%
RoHS
否
制造商
AVX
阻抗
最大直流电流
35 mA
最大直流电阻
容差
端接类型
SMD/SMT
电压额定值
25 V
工作温度范围
- 25 C to + 85 C
封装 / 箱体
0603 (1608 metric)

PMH1210-800 技术参数

PMH-10M-AC120V 功能描述:On-Delay Time Delay Relay DPDT (2 Form C) 0.05 Sec ~ 10 Min Delay 7A @ 250VAC Socket 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PMH 零件状态:有效继电器类型:集成式功能:开 - 延迟电路:DPDT（2 C 形）延迟时间:0.05 秒 ~ 10 分输出类型:机械式继电器不同电压时的触头额定电流:7A @ 250VAC 电压 - 电源:100 ~ 120VAC 安装类型:插口端子类型:8 引脚可插定时调节方法:手拨式定时启动方法:输入电压标准包装:1 PMGD8000LN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:125mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18.5pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD780SN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:490mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:920 毫欧 @ 300mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.05nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:23pF @ 30V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD400UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:710mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD370XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:740mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:440 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMH-24V150WCBA PMH-24V200WCBA PMH-24V50WCAA PMH25GY PMH-30H-AC120V PMH-30H-AC220V PMH-30H-AC240V PMH-30H-AC24V PMH-30H-DC12V PMH-30H-DC24V PMH-30M-AC120V PMH-30M-AC220V PMH-30M-AC240V PMH-30M-AC24V PMH-30M-DC12V PMH-30M-DC24V PMH35GY PMH-M-30M-AC24V