PMN27XPEAX

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PMN27XPEAX
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT457
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMN27XPEAX
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
60000
NEXPERIA/安世
SOT457
-
授权代理/原厂FAE技术支持

PMN27XPEAX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NEXPERIA
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMN27XPEAX
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT457
15+
-
原装正品，价格优势！

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PMN27XPEAX 技术参数

PMN27XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN27UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN27UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN25UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:470pF @ 10V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN25EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 6.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:492pF @ 15V 功率 - 最大值:540mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN35EN,125 PMN38EN,135 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115