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PMN28UNEX

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  • PMN28UNEX
    PMN28UNEX

    PMN28UNEX

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT457

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PMN28UNEX
    PMN28UNEX

    PMN28UNEX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT457

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMN28UNEX
    PMN28UNEX

    PMN28UNEX

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人:

    电话:17841084408

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT457

  • 19+

  • -
  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • PMN28UNEX
    PMN28UNEX

    PMN28UNEX

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 90000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT457

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
PMN28UNEX PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PMN28UNEX 技术参数
  • PMN28UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN27XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1770pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMN27UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):31nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2340pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 2.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 PMN27UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN25UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):470pF @ 10V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN38EN,165 PMN40ENEX PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX
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