PMN42XPE115

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PMN42XPE115 技术参数

PMN42XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN40UPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN40LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:555pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN40ENEX 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:294pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 4.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN38EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C