PMO-4015MN-42HXQ

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMO-4015MN-42HXQ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新原装货电话010-62104931...

PMO-4015MN-42HXQ
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
100
Mallory Sonalert Products
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： PMO-4015PN-42KDQ PMO-4015SN-42UQ PMO-4530PN-47UQ PMO-6022PN-48KDQ PMO-6022SN-42UQ PMO-6027P-40KDQ PMOF-6027NSN-36KDQ PMOF-6027WN-44KDQ PMOF-6050P-36UQ

PMO-4015MN-42HXQ PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMO-4015MN-42HXQ PDF下载

功能描述
50Hz ~ 12kHz Analog Microphone Magnetic 2V Omnidirectional (-42dB ±2dB @ 94dB SPL) None
制造商
mallory sonalert products inc.
系列
PMO
包装
散装
零件状态
在售
类型
磁性
输出类型
模拟
方向
全向
频率范围
50Hz ~ 12kHz
灵敏度
-42dB ±2dB @ 94dB SPL
信噪比
58dB
阻抗
2.2 千欧
电压 - 额定
2V
电压范围
1 ~ 10V
电流 - 电源
500μA
端口位置
顶部
密封等级
-
端接
无
大小/尺寸
0.157" 直径（4.00mm）
高度（最大值）
0.067"（1.70mm）
形状
圆形
标准包装
1

PMO-4015MN-42HXQ 技术参数

PMN80XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:385mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN70XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:88 毫欧 @ 3.1A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN70XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:602pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN55LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN52XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 3.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMOF-6050S-44UQ PMOF-9745P-39UQ PMOF-9745S-42UQ PMOF-9745W-42UQ PMOF-9767NP-46DQ PMOF-9767NS-40DQ PMP12RI PMP2425W PMP2425WH PMP2425WP PMP2425WPH PMP2450W PMP2450WH PMP2450WP PMP2450WPH PMP2490W PMP2490WH PMP2490WP