PMPB25ENEX

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PMPB25ENEX
深圳市铭昌源科技有限公司
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资质：营业执照
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深圳市科宏特电子有限公司
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PMPB25ENEX 技术参数

PMPB23XNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB23XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB20XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:294pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB20XNEAX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 7.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB20UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）标准包装:1 PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0 PMR03EZPJ000 PMR03EZPJU10L PMR100HZPFU10L0