PMR18EZPFU7L00

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMR18EZPFU7L00
现货
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1000
ROHM
1206
21+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

PMR18EZPFU7L00
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
100
ROHM
-
公司现货！只做原装！

PMR18EZPFU7L00
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Rohm Semiconductor
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

PMR18EZPFU7L00
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
5000
ROHM
2124
-

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： PMR18EZPFU8L00 PMR18EZPFU9L00 PMR18EZPFV2L00 PMR18EZPFV3L00 PMR18EZPFV4L00 PMR18EZPJU10L PMR18EZPJU5L0 PMR18EZPJU6L0 PMR18EZPJU7L0

PMR18EZPFU7L00 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMR18EZPFU7L00 PDF下载

功能描述
RES .007 OHM 3/4W 1% 1206 SMD
RoHS
是
类别
电阻器 >> 芯片电阻 - 表面安装
系列
PMR18
产品目录绘图
ERA-(2,6)A Series
标准包装
1
系列
ERA-6A
电阻（欧姆）
1M
功率（瓦特）
0.125W，1/8W
复合体
薄膜
特点
-
温度系数
±25ppm/°C
容差
±0.1%
封装/外壳
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸
0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）
高度
0.024"（0.60mm）
端子数
2
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
2242 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
P1MDADKR

PMR18EZPFU7L00 技术参数

PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包装:散装零件状态:在售感应距离:393.701"（10m）感应方法:反射输出类型:- 响应时间:20ms，30ms 安装类型:底座安装封装/外壳:模块，导线引线工作温度:-25°C ~ 55°C 标准包装:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 2.8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:56 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMR18EZPJU8L0 PMR18EZPJU9L0 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30 PMR205AC6470M220R30 PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30 PMR209MC6220M047R30 PMR209MC6220M100R30 PMR209MC6220M220R30