PMV170UN 超小型管

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PMV170UN 超小型管
深圳廊盛科技有限公司
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电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
NXP/恩智浦
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

PMV170UN 超小型管
深圳市华芯源电子有限公司
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联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
22296
NXP/恩智浦
TO-236AB
22+
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PMV170UN 超小型管技术参数

PMV16XNR 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 6.8A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV16UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PMV160UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:365pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:335mW（Ta），2.17W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 1.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV130ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:170pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV120ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:275pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:513mW（Ta）, 6.4W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:123 毫欧 @ 2.1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV213SN,215 PMV22EN,215 PMV230ENEAR PMV2-35RB-3K PMV2-3FB-3K PMV2-3FB-C PMV2-3RB-3K PMV2-3RB-C PMV2-3RB-X PMV2-4FB-3K PMV2-4FB-C PMV2-4RB-3K PMV2-4RB-C PMV2-4RB-X PMV250EPEAR PMV25ENEAR PMV2-5FB-3K PMV2-5FB-C