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PMV35EPER

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-23-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼

  • 150

  • NEXPERIA

  • NA

  • 25+

  • -
  • 现货!就到京北通宇商城

  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:王光伟

    电话:15953799870

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 367565

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:王光伟

    电话:15953799870

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 1

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 场效应管

  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:王光伟

    电话:15953799870

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367565

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367565

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 73554

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-23-3

  • 22+

  • -
  • 18万条库存,一站式配齐

  • PMV35EPER
    PMV35EPER

    PMV35EPER

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:汪小姐

    电话:19240207240

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 5000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-23-3

  • 24+

  • -
  • 原装正品,可含税供应。品质保障

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
PMV35EPER PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • P 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 5.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 19.2nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 793pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 480mW(Ta), 1.2W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 45 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • TO-236AB
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 标准包装
  • 1
PMV35EPER 技术参数
  • PMV33UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV32UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 2.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV31XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 PMV30XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1465pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 5.435W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV30XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 3.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):420pF @ 15V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L PMV6-3R-X
配单专家

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