PMV35EPER全国供应商【买卖IC网】PMV35EPER资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

PMV35EPER
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT-23-3
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMV35EPER
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

PMV35EPER
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
150
NEXPERIA
NA
25+
-
现货！就到京北通宇商城

PMV35EPER
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367565
NEXPERIA
con
24+
-

PMV35EPER
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

PMV35EPER
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367565
NEXPERIA
con
24+
-

PMV35EPER
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367565
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PMV35EPER
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMV35EPER
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
73554
NEXPERIA/安世
SOT-23-3
22+
-
18万条库存，一站式配齐

PMV35EPER
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
NEXPERIA/安世
SOT-23-3
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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1

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功能描述
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
19.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
793pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
480mW（Ta）, 1.2W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
45 毫欧 @ 4.2A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装
1

PMV35EPER 技术参数

PMV33UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV32UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV31XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 PMV30XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1465pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 5.435W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV30XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:420pF @ 15V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L PMV6-3R-X