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PMWD19VN

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PMWD19VN 技术参数
  • PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18.5 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):84 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3
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