PMY44P

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMY44P
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
PANASONIC
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

PMY44P
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
PANASONIC
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

PMY44P
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
PANASONIC
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64

PMY44P PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMY44P PDF下载

制造商
Panasonic Electric Works
功能描述
U-shaped thru-beam sensor,PMY44P

PMY44P 技术参数

PM-Y44-C3 功能描述:SENSOR PHOTO 5MM 5-24VDC NPN 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-44 包装:* 零件状态:有效感应距离:0.197"（5mm）感应方法:可传导的输出配置:NPN - 暗光/亮光 - 可选电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:20μs 工作温度:* 安装类型:底座安装封装/外壳:模块，引线，槽型类型:无放大标准包装:1 PM-Y44 功能描述:SENSOR 5MM 5-24VDC NPN CABLE1M 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-44 包装:* 零件状态:Last Time Buy 感应距离:0.197"（5mm）感应方法:可传导的输出配置:NPN - 暗光/亮光 - 可选电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:20μs 工作温度:* 安装类型:底座安装封装/外壳:模块，引线，槽型类型:无放大标准包装:1 PMXB75UPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:608pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:317mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB65UPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:634pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:317mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 3.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB65ENE 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:295pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 3.2A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL PMZ200UNEYL PMZ250UN,315 PMZ270XN,315 PMZ290UNE2YL PMZ290UNEYL PMZ290UNYL PMZ320UPEYL PMZ350UPEYL PMZ350XN,315 PMZ370UNEYL PMZ390UN,315 PMZ390UNEYL