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PMZ390UN+315

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  • PMZ390UN+315
    PMZ390UN+315

    PMZ390UN+315

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 5034

  • NXP/恩智浦

  • SOT-883

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

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  • 1
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PMZ390UN+315 技术参数
  • PMZ390UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.78A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.89nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):460 毫欧 @ 200mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ370UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):900mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.16nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):490 毫欧 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ350XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.87A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):420 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):37pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 标准包装:1 PMZ350UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):127pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),3.125W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 300mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ320UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):122pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):510 毫欧 @ 1A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315 PMZB380XN,315 PMZB390UNEYL PMZB420UN,315 PMZB550UNEYL PMZB600UNELYL PMZB600UNEYL PMZB670UPE,315 PMZB790SN,315 PMZB950UPELYL
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