PMZ600UNEZ

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说明
操作

PMZ600UNEZ
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT883
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMZ600UNEZ
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT883
刚到货
-
代理可含税开票

PMZ600UNEZ
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
59424
Nexperia
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

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PMZ600UNEZ 技术参数

PMZ600UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ600UNELYL 功能描述:20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:标准功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ550UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:30.3pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 590mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:470 毫欧 @ 900mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZ390UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315 PMZB380XN,315 PMZB390UNEYL PMZB420UN,315 PMZB550UNEYL PMZB600UNELYL PMZB600UNEYL PMZB670UPE,315 PMZB790SN,315 PMZB950UPELYL PMZB950UPEYL PN01145AAD PN01147AAD PN01224AAD PN01262AAD