PN3563_D26Z

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PN3563_D26Z
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Fairchild Semiconductor
TO-92-3
17+
-
全新原装现货

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功能描述
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

PN3563_D26Z 技术参数

PN2C 功能描述:CONN ADAPT PLUG-JACK BNC 50 OHM 制造商:cinch connectivity solutions trompeter 系列:- 包装:散装零件状态:在售适配器类型:插头至插孔转换类型:相同系列适配器系列:BNC 至 BNC，双中性:母型至公型转换自（适配器端）:BNC 插头，公引脚转换至（适配器端）:BNC 插孔，母插口（2）阻抗:50 欧姆样式:U 形安装类型:自由悬挂安装特性:- 紧固类型:卡销锁定，卡销锁定侵入防护:- 中心触头镀层:- 特性:- 包括:- 基体材料:- 基体表面:- 中心触头材料:- 介电材料:- 配接次数:- 插入损耗:- 工作温度:- 标准包装:10 PN2907A,116 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 PN2907A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,500 PN28F256M29EWHA 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8/16MX16 NOR FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 3.0V - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS VFBGA PN28F128M29EWHA 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX8/8MX16 NOR FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 3.0V - Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 60NS VFBGA PN3567 PN3567_D26Z PN3567_D27Z PN3568 PN3568_D26Z PN3568_D27Z PN3568_D74Z PN3568_D75Z PN3568_J05Z PN3569 PN3569_D26Z PN3569_D74Z PN3569_D75Z PN3569_J05Z PN3638_J05Z PN3638A PN3638A_D26Z PN3638A_D27Z