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PRG.M1.4GL.LC65V

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  • 制造商
  • LEMO connectors
  • 功能描述
  • CONN INLINE RCPT 14SKT SLD CUP
  • 制造商
  • LEMO connectors
  • 功能描述
  • REDEL - PRG.M1.4GL.LC65V
PRG.M1.4GL.LC65V 技术参数
  • PRFX1K80HR5 功能描述:RF FET 65V 1800W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.8MHz ~ 470MHz 增益:24dB 额定电流:100mA 噪声系数:- 功率 - 输出:1800W 电压 - 额定:182V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标准包装:1 PRF957,115 功能描述:TRANSISTOR SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:270mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PRF949,115 功能描述:TRANSISTOR NPN 10V 9GHZ SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PRF947,115 功能描述:TRANSISTOR NPN 10V 8.5GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,6V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PRF21BE471QB5RA 功能描述:PTC Thermistor 470 Ohm 0805 (2012 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:POSISTOR? PRF18/21 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 25°C 时欧姆阻值:470 电阻容差:±50% 工作温度:-20°C ~ 100°C 功率 - 最大值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:0805(2012 公制) 标准包装:1 PRG15BC180MM1RC PRG18BB101MB1RB PRG18BB101MS1RB PRG18BB221MB1RB PRG18BB221MS1RB PRG18BB330MB1RB PRG18BB330MS1RB PRG18BB470MB1RB PRG18BB470MS1RB PRG18BB471MB1RB PRG18BB471MS1RB PRG18BC1R0MM1RB PRG18BC2R2MM1RB PRG18BC3R3MM1RB PRG18BC4R7MM1RB PRG18BC6R8MM1RB PRG21AR220MB1RK PRG21AR220MS1RK
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