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PSMN012-100YS,115

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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  • 说明
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  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 100V 60A...

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 5510

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT669

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

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  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8271907113336545634

    地址:深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质:营业执照

  • 3259

  • NXP(恩智浦)

  • 21+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -
  • 原装正品

  • PSMN012-100YS,115
    PSMN012-100YS,115

    PSMN012-100YS,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 1
PSMN012-100YS,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN012-100YS,115 技术参数
  • PSMN011-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):117W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN011-60MSX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):61A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1368pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):91W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.3 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN011-60MLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):61A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):37.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2191pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):91W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.3 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN011-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):641pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):29W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.6 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN011-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tj) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.7 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):726pF @ 15V 功率 - 最大值:49W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX PSMN013-80YS,115 PSMN014-40YS,115 PSMN014-60LS,115 PSMN014-80YLX PSMN015-100B,118 PSMN015-100P,127 PSMN015-100YLX PSMN015-110P,127 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127 PSMN016-100YS,115
配单专家

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