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PSMN2R0-25YLDX

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 价格
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  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 电源-SO8

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 电源-SO8

  • 18+

  • -

  • PSMN2R0-25YLD/LFPAK/...

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT669

  • 刚到货

  • -

  • 代理可含税开票

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：严艺浦

    电话：18682365538

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 1
PSMN2R0-25YLDX PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
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  • 功能描述
  • PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
  • 25V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
  • 34.1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
  • 2485pF @ 12V
  • FET 功能
  • 肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）
  • 115W （Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 2.09 毫欧 @ 25A， 10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • LFPAK56，Power-SO8
  • 封装/外壳
  • SC-100，SOT-669
  • 标准包装
  • 1
PSMN2R0-25YLDX 技术参数
  • PSMN2R0-25MLDX 功能描述:PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:34.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2490pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）:74W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.27 毫欧 @ 25A， 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） 标准包装:1 PSMN1R9-40PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 150A SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:120nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN1R9-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.05 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3504pF @ 12V 功率 - 最大值:141W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK， 电源-SO8 标准包装:1 PSMN1R8-40YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:96nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6680pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R8-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10180pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R1-60CSJ PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-40BS,118 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118
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