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PSMN5R4-25YLDX

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
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  • PSMN5R4-25YLDX
    PSMN5R4-25YLDX

    PSMN5R4-25YLDX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN5R4-25YLDX
    PSMN5R4-25YLDX

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 45000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -
  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PSMN5R4-25YLDX
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN5R4-25YLDX
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 367290

  • NEXPERIA

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  • 24+

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  • PSMN5R4-25YLDX
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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367290

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN5R4-25YLDX
    PSMN5R4-25YLDX

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • PSMN5R4-25YLDX
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367290

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  • 24+

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PSMN5R4-25YLDX PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 25V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 12.4nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 858pF @ 12V
  • FET 功能
  • 肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值)
  • 47W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 5.69 毫欧 @ 15A, 10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳
  • SC-100,SOT-669
  • 标准包装
  • 1
PSMN5R4-25YLDX 技术参数
  • PSMN5R3-25MLDX 功能描述:PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):858pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):51W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 15A, 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN5R2-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):39.4nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6319pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN5R0-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):101nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6793pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):270W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN5R0-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):101nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6793pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):270W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN5R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):91A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1760pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):61W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-100BS,118
配单专家

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