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PSMN8R5-100PSQ

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-83795896

    地址:深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 25200

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 21+原厂授权

  • -
  • ★原厂授权★价超代理★

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT78

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 100V 100...

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NXP

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEXPERIA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 4998

  • Nexperia USA Inc.

  • TO-220-3

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人:

    电话:17841084408

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT78

  • 19+

  • -
  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • PSMN8R5-100PSQ
    PSMN8R5-100PSQ

    PSMN8R5-100PSQ

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 50000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT78

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN8R5-100PSQ 技术参数
  • PSMN8R5-100ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):111nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5512pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):263W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 标准包装:50 PSMN8R3-40YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1215pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN8R2-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):82A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3640pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN8R0-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1262pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN8R0-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1262pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127 PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR90-30BL,118 PSM-N-Y PSM-O-Y PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380
配单专家

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