PD55025S-E

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

PD55025S-E 技术参数

PD55025-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:14.5dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:25W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:50 PD55015TR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:14dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:1 PD55015S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:14dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:50 PD55015-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:14dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:50 PD55008TR-E 功能描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:1 PD57006S PD57006S-E PD57006STR-E PD57006TR-E PD57018 PD57018-E PD57018S PD57018S-E PD57018STR-E PD57018TR-E PD57030 PD57030-E PD57030S PD57030S-E PD57045-E PD57045S PD57045S-E PD57045TR-E