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PEMD3

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  • PEMD3,115
    PEMD3,115

    PEMD3,115

  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
    深圳市粤科源兴科技有限公司

    联系人:谢先生

    电话:13392885468

    地址:深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室

    资质:营业执照

  • 30000

  • Diode

  • 14+

  • -
  • 原装现货/价格优势

  • PEMD3,115
    PEMD3,115

    PEMD3,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 4000

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • PEMD3,115
    PEMD3,115

    PEMD3,115

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 12450

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.0295 USD,szpoweric...

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
PEMD3 技术参数
  • PEMD2,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:MD2 标准包装:1 PEMD16,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:MD16 标准包装:1 PEMD12,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMB9,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:MB9 标准包装:1 PEMB11,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:180MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:MB11 标准包装:1 PEMF21,115 PEMH1,115 PEMH10,115 PEMH11,115 PEMH11,315 PEMH13,115 PEMH13,315 PEMH14,115 PEMH15,115 PEMH16,115 PEMH17,115 PEMH18,115 PEMH19,115 PEMH2,115 PEMH2,315 PEMH20,115 PEMH24,115 PEMH30,115
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