| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 1206 E 2051 B N WP e2 | 制造商 | Vishay/Sfernice |
| 电阻 | 2.05 kOhms | 容差 | 0.1 % |
| 温度系数 | 25 PPM / C | 封装 / 箱体 | 1206 (3016 metric) |
| 功率额定值 | 330 mW | 系列 | P |
| 电压额定值 | 200 V | 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C |
| 端接类型 | SMD/SMT | 尺寸 | 1.6 mm W x 3.06 mm L x 0.5 mm H |
| 封装 |
P1206E2051BN 同类产品
| 型号 | P0603Y1622BNT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet | 
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 0603 Y 1622 B N TR e2 |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 16.2 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 10 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 0603 (1508 metric) | 功率额定值 | 125 mW (1/8 W) |
| 系列 | P | 电压额定值 | 75 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 0.85 mm W x 1.52 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P0603E2052BNT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 0603 E 2052 B N TR e2 |
| 制造商 | Vishay | 电阻 | 20.5 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 25 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 0603 (1508 metric) | 功率额定值 | 125 mW (1/8 W) |
| 系列 | P | 电压额定值 | 75 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 0.85 mm W x 1.52 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P0805Y7500LB | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 7500 L B WP |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 750 Ohms |
| 容差 | 0.01 % | 温度系数 | 10 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 0805 (2012 metric) | 功率额定值 | 200 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 150 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.27 mm W x 1.91 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P1206H2551BB | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 1206 H 2551 B B WP |
| 制造商 | Vishay/Thin Film | 电阻 | 2.55 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 50 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 1206 (3016 metric) | 功率额定值 | 330 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 200 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.6 mm W x 3.06 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P0603Y7502LB | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 0603 Y 7502 L B WP |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 75 kOhms |
| 容差 | 0.01 % | 温度系数 | 10 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 0603 (1508 metric) | 功率额定值 | 125 mW (1/8 W) |
| 系列 | P | 电压额定值 | 75 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 0.85 mm W x 1.52 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P0805E69R3BBT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 E 69R3 B B TR |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 69.3 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 25 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 0805 (2012 metric) | 功率额定值 | 200 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 150 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.27 mm W x 1.91 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P1206Y3522BNT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 1206 Y 3522 B N TR e2 |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 35.2 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 10 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 1206 (3016 metric) | 功率额定值 | 330 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 200 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.6 mm W x 3.06 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P1206E6812BBT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 1206 E 6812 B B TR |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 68.1 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 25 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 1206 (3016 metric) | 功率额定值 | 330 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 200 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.6 mm W x 3.06 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P1206H2491FNT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 1206 H 2491 F N TR e2 |
| 制造商 | Vishay/Thin Film | 电阻 | 2.49 kOhms |
| 容差 | 1 % | 温度系数 | 50 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 1206 (3016 metric) | 功率额定值 | 330 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 200 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.6 mm W x 3.06 mm L x 0.5 mm H |
| 型号 | P1206Y4872BBT | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
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| 产品分类 | 半导体模块 >> 薄膜电阻器 | 描述 | 薄膜电阻器 - SMD P 1206 Y 4872 B B TR |
| 制造商 | Vishay/Sfernice | 电阻 | 48.7 kOhms |
| 容差 | 0.1 % | 温度系数 | 10 PPM / C |
| 封装 / 箱体 | 1206 (3016 metric) | 功率额定值 | 330 mW |
| 系列 | P | 电压额定值 | 200 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 155 C | 端接类型 | SMD/SMT |
| 尺寸 | 1.6 mm W x 3.06 mm L x 0.5 mm H |