型号: | PBSS2540E,115 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd |
中文描述: | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN |
文件页数: | 1/11页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | PBSS2540E,115 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PBSS2540M,315 | 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd |
PBU602 | 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
PBW.3K.93C.CLCT90Z | 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET |
PBW.3K.93C.CLCT96Z | 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET |
PEW.3K.93C.CLCT90Z | 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PBSS2540F | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-490 |
PBSS2540F,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PBSS2540M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
PBSS2540M T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PBSS2540M,315 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |