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参数资料
| 型号： | PESD5V0S2UQ,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT663 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 4,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-663 |
| 供应商设备封装： | SOT-663 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
10
PESDxS2UQ series
Double ESD protection diodes in SOT663 package
001aaa729
I RM
I RM(25 ° C)
(1)
(2)
1
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
(1) PESD3V3S2UQ; V RWM = 3.3 V
(2) PESD5V0S2UQ; V RWM = 5 V
I R is less than 15 nA at 150 ° C for:
PESD12VS2UQ; V RWM = 12 V
PESD15VS2UQ; V RWM = 15 V
PESD24VS2UQ; V RWM = 24 V
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current as a function of junction temperature; typical values
PESDXS2UQ_SER_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 26 January 2010
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RV1206FR-07200KL | RES 200K OHM 1% 1206 TF |
| RV1206FR-07825KL | RES 825K OHM 1% 1206 TF |
| V18AUMLA1210NT | VARISTOR MULTILAYER 18V 1210 SMD |
| V18AUMLA1210T | VARISTOR MULTILAYER 18V 1210 SMD |
| 69154-306LF | CONN RCPT 12POS .100" DBL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5V0S4UD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.2UA 5V SSOT-6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, 0.2UA, 5V, SSOT-6 |
| PESD5V0S4UD T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD5V0S4UD,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD5V0S4UF | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays |
| PESD5V0S4UF T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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