参数资料
型号: PESD5V0S2UQ,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: DIODE DBL ESD PROTECTION SOT663
产品培训模块: ESD Standards and Products
标准包装: 4,000
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.4V
功率(瓦特): 150W
电极标记: 2 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-663
供应商设备封装: SOT-663
包装: 带卷 (TR)
NXP Semiconductors
PESDxS2UQ series
Double ESD protection diodes in SOT663 package
ESD TESTER
R Z
450 Ω
RG 223/U
50 Ω coax
10 ×
4 GHz DIGITAL
OSCILLOSCOPE
ATTENUATOR
C Z
note 1
Note 1: IEC61000-4-2 network
C Z = 150 pF; R Z = 330 Ω
DUT: PESDxS2UQ
vertical scale = 200 V/div
horizontal scale = 50 ns/div
GND
50 Ω
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 50 ns/div
PESD24VS2UQ
GND
GND
unclamped + 1 kV ESD voltage waveform
(IEC61000-4-2 network)
vertical scale = 200 V/div
horizontal scale = 50 ns/div
unclamped ? 1 kV ESD voltage waveform
(IEC61000-4-2 network)
GND
GND
GND
GND
GND
PESD15VS2UQ
PESD12VS2UQ
PESD5V2S2UQ
PESD3V3S2UQ
clamped + 1 kV ESD voltage waveform
(IEC61000-4-2 network)
vertical scale = 10 V/div
horizontal scale = 50 ns/div
clamped ? 1 kV ESD voltage waveform
(IEC61000-4-2 network)
001aaa731
Fig 8.
ESD clamping test setup and waveforms
PESDXS2UQ_SER_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 26 January 2010
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参数描述
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PESD5V0S4UD,115 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0S4UF 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
PESD5V0S4UF T/R 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C