参数资料
型号: IXBOD1-25RD
厂商: IXYS
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2500V
标准包装: 20
电压 - 箝位: 2500V(2.5kV)
技术: 混合技术
电路数: 3
应用: 高电压
封装/外壳: 径向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
IXBOD 1 -12R...42R(D)
A
K
K
A
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Fig. 5 Energy per pulse for single BOD element
for trapezoidal wave current. E P must be multiplied
by number of elements for total energy.
Fig. 6 Energy per pulse for single BOD element
for exponentially decaying current pulse. E P must
be multiplied by number of elements for total
energy.
n = number of BOD-Elements in series
[V]
V T
Fig. 7 On-state voltage at T VJ = 125°C.
? 2000 IXYS All rights reserved
i T
[A]
[K/W]
Z thJA
Fig. 8 Transient thermal resistance.
V a = 0 m/s
V a = 2 m/s
t [s]
H-5
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PDF描述
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参数描述
PIC16CE625-20/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16CE625-20/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16CE625-20/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16CE625-20E/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16CE625-20E/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT