参数资料
型号: IXBOD1-23R
厂商: IXYS
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2300V
标准包装: 20
电压 - 箝位: 2300V(2.3kV)
技术: 混合技术
电路数: 3
应用: 高电压
封装/外壳: 径向
供应商设备封装: 轴向
包装: 管件
IXBOD 1 -06...10
Fig. 1 Energy per pulse for trapezoidal current wafeforms
(see waveform definition).
Fig. 2
Energy per pulse for exponentially decaying
current pulse (see waveforms definition).
V a = 0 m/s
V a = 2 m/s
[V]
V T
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
[K/W]
Z thJA
Fig. 3 On-state voltage
? 2000 IXYS All rights reserved
i T
[A]
Fig. 4 Transient thermal resistance.
t [s]
H-3
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
PIC18F46J11T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KBRAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F46J11T-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KBRAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F46J13-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KB RAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F46J13-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KB RAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F46J13T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU GP 64KB Flash 4KB RAM 12 MIPS 12b ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT