ME
ME8205
TSSOP8、SOT23-6
绝缘栅型场效应管
N沟道
耗尽型
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描述:
ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点:
● 20V/6A
● RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
● RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
● RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
● 超大密度单元、极小的RDS(ON))
● 两种封装:TSSOP8、SOT23-6
应用:
● 笔记本电池管理
● 便携式设备
● 电池电源系统
● DC/DC转换
● 负载开关
● LCD显示适配器
引脚排列: