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标准包装 |
1,000 |
类别 |
分立半导体产品 |
家庭 |
FET - 单 |
系列 |
- |
包装 |
|
FET 类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 |
逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) |
75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) |
10A (Ta), 100A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) |
10.5 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
4V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
136nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
5640pF @ 30V |
功率 - 最大值 |
2.1W |
安装类型 |
通孔 |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
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