描述:
SVF12N65T/F/FG/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动
特点:
12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64?@VGS=10V ?低栅极电荷量?低反向传输电容?开关速度快 ?提升了dv/dt 能力 12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64?@VGS=10V ?
低栅极电荷量 ?
低反向传输电容 ?
开关速度快 ?
提升了dv/dt 能力
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