IRF7313TRPBF正品保障公司现货量大从优

型号：
IRF7313TRPBF
厂家：
INFINEON
批号：
18+
封装：
SOIC

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产品信息

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

产品技术参数

属性数值

通道类型 N

最大连续漏极电流 6.5 A

最大漏源电压 30 V

最大漏源电阻值 46 mΩ

最大栅阈值电压 1V

最小栅阈值电压 1V

最大栅源电压 -20 V、+20 V

封装类型 SOIC

安装类型表面贴装

引脚数目 8

晶体管配置隔离式

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散 2 W

最低工作温度 -55 °C

典型接通延迟时间 8.1 ns

宽度 4mm

晶体管材料 Si

每片芯片元件数目 2

典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V

高度 1.5mm

系列 HEXFET

典型输入电容值@Vds 650 pF @ 25 V

最高工作温度 +150 °C

长度 5mm

尺寸 5 x 4 x 1.5mm

典型关断延迟时间 26 ns

公司介绍

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