BSS138NH6327XTSA2原装正品海量库存现货发售

产品信息

标准包装  3,000
包装  标准卷带 
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列SIPMOS?

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)230mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.5 欧姆 @ 230mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 26μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)1.4nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)41pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)360mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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公司介绍

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