数据列表 |
IRF630N
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产品相片 |
TO-220AB Pkg
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产品目录绘图 |
IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1 IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2
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标准包装 |
50 |
类别 |
分离式半导体产品 |
家庭 |
MOSFET - 单 |
Series |
HEXFET? |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
300 毫欧 @ 5.4A, 10V
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漏极至源极电压(Vdss) |
200V
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
35nC @ 10V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
9.3A
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在 Vds 时的输入电容(Ciss) |
575pF @ 25V
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FET 型 |
N 沟道
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FET 特点 |
标准型
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功率 - 最大 |
82W
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安装类型 |
通孔
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封装/外壳 |
TO-220-3 (直引线)
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包装 |
管件
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产品目录页面 |
1372 (CN091-10 PDF)
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