IR
IRF830
TO-220AB
结型场效应管
N沟道
增强型
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数据列表 | IRF830PBF |
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产品相片 | TO-220AB Pkg |
产品目录绘图 | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | MOSFET - 单 |
Series | - |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
FET 型 | N 沟道 |
FET 特点 | 标准型 |
功率 - 最大 | 74W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
产品目录页面 | 1382 (CN091-10 PDF |
电话:0755-88878818/0769-22504988
联系人:古泳 (先生)
QQ:
邮箱:CLYGSX@163.COM
地址:深圳华强广场D座21楼J室/东莞赛格市场
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