美国Graphene supermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜

产品信息



美国Graphenesupermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜石墨烯/H-BN薄膜的性能:
单层H-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285纳米(p掺杂)SiO2/Si晶片上
尺寸:1cmx1cm;8包
每层膜的厚度和质量由拉曼光谱控制。
该产品的覆盖率约为98%
薄膜是连续的,带有小孔和有机残留物。
高结晶质量
石墨烯薄膜为牙前单层(95%以上),偶尔有小的多层岛(5%以下为双层)。
电阻:430-800Ω/平方
以下所示的每张胶片的转移
在铜箔上通过化学气相沉积法生长石墨烯薄膜和H-BN薄膜,然后转移到SiO2/Si晶片上。
欲了解转移前薄膜的特性,请参阅我们的相关产品:铜箔上的石墨烯和铜箔上的H-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性:
氧化物厚度:285纳米
氧化物厚度:285纳米
颜色:紫色
晶片厚度:525微米
电阻率:0.001-0.005ohm-cm
类型/掺杂剂:P/硼
方向:<100>
前表面:抛光
背面:蚀刻

美国Graphenesupermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜应用:
石墨烯/HBN界面用于需要精确选通石墨烯的地方,以提高迁移率和减少散射。
H-BN作为石墨烯基电子器件的基底具有吸引力,因为其表面原子级光滑,没有悬垂键,并且具有与石墨烯类似的结构。
将我们的H-BN与石墨烯结合使用在SiO2/Si晶片上,将鼓励您探索晶体管应用的石墨烯异质结构。


 
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