IRFS3004TRL7PP
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D2PAK7P
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封装/外壳:D2PAK7P
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):240nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9130pF @ 25V
功率耗散(最大值):380W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.25 毫欧 @ 195A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
系列:HEXFET?
FET类型:N 沟道
电流-连续漏极(Id)(25°C时):240A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):240nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):9130pF @ 25V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.25 毫欧 @ 195A,10V
封装形式Package:D2PAK
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:40V
连续漏极电流ID:400A
供应商器件封装:D2PAK(7-Lead)
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
电话:0755-83261372/13423774582
联系人:林先生 (先生)
QQ:
邮箱:sales10@sth-ic.com
地址:深圳市福田区华强北街道红荔路38号群星广场A座A2019
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