IGBT 晶体管 STGWT60H65DFB 原装正品

品牌：
ST
型号：
STGWT60H65DFB
类别：
直插
结构：
点接触型
封装形式：
TO-3P
封装材料：
塑料封装
最大整流电流：
80
最大反向电压：
650

发布询价信息

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产品信息

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

封装 / 箱体:TO-3P

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V在25 C的连续

集电极电流:80 APd-

功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:600-650V IGBTs

集电极最大连续电流 Ic:60 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:300

子类别:IGBTs

单位重量:6.756 g

公司介绍

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