STMICROELECTRONICS
STH310N10F7-2
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属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 180 A |
最大漏源电压 | 100 V |
最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
最小栅阈值电压 | 2.5V |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
封装类型 | H2PAK |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
最大功率耗散 | 315 W |
尺寸 | 15.8 x 10.4 x 4.8mm |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 62 ns |
最低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
宽度 | 10.4mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型输入电容值@Vds | 12800 pF@ 25 V |
典型关断延迟时间 | 148 ns |
长度 | 15.8mm |
系列 | STripFET H7 |
高度 | 4.8mm |
最高工作温度 | +175 °C |
电话:17862669251
联系人:洪宝宇 (先生)
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邮箱:hongby@buyele.net
地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
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