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联系人王小姐 13205341129
类别 | ;">分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 | ||
制造商 | Nexperia USA Inc. | |
系列 | - | |
包装 | 剪切带(CT) | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 沟道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 100A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.15 毫欧 @ 25A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 103.5nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 6645pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 272W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 | |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
电话:17862669251
联系人:洪宝宇 (先生)
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邮箱:hongby@buyele.net
地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
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