产品概述
International Rectifier品牌的IRLML6402PBF是一款-20V单P沟道HEXFET功率MOSFET, MICro3 (SOT-23)封装. 该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻, 坚固耐用, 开关速度快, 因此功率MOSFET可提供极高的效率与可靠性, 可用于多种应用, 例如电池和负载管理, 便携式电子设备, PCMCIA卡, 并且非常适合印刷电路板空间有限的应用. 漏极至源极电压(Vds): -20V
栅-源电压: ±12V
Vgs -2.5V时, 电阻Rds (on)为80mohm
25°C功率耗散Pd: 1.3W
Vgs -4.5V 25°C时, 连续漏电流Id: -3.7A
工作结温范围: -55°C至150°C
0.01W/°C线性降额因子
应用
产品信息
晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -3.7A 漏源电压, Vds: -20V 在电阻RDS(上): 0.065ohm 电压 @ Rds测量: -4.5V 阈值电压 Vgs: -550mV 功耗 Pd: 1.3W 晶体管封装类型: SOT-23 针脚数: 3引脚 工作温度最高值: 150°C