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产品信息

产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
195 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
NDS355
　
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公司介绍

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TIANYANG ELECTRONICS CO.,LTD

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