FDN86246
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零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 150 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 261 毫欧 @ 1.6A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 225 pF @ 75 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 1.5W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
基本产品编号 | FDN862 |
电话:13969210552
联系人:王女士 (女士)
QQ:
邮箱:wangwy@buyelec.net
地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)
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