驱动配置 | 半桥 | |
通道类型 | 独立式 | |
驱动器数 | 2 | |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET | |
电压 - 供电 | 3.3V ~ 20V | |
逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V | |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A | |
输入类型 | 非反相 | |
高压侧电压 - 大值(自举) | 600 V | |
上升/下降时间(典型值) | 25ns,17ns | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) | |
供应商器件封装 | 14-DIP | |
基本产品编号 | IR2113 |
电话:17862669251
联系人:洪宝宇 (先生)
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邮箱:hongby@buyele.net
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