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FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 220 毫欧 @ 910mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.1nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 150pF @ 25V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |