型号:IRF640NPBF
品牌:IR
IC描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
类别:分立半导体产品,FET-单
FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能:标准
漏源极电压(Vdss):200V
电流-连续漏极(Id)(25℃)时:18A(Tc)
不同Id时,Vgs时的Rds ON(最大值):150 毫欧 @ 11A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg):67nC @ 10V
不同Vds时的输入电空(Ciss):1160pF @ 25V
功率-最大值:150W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO220
全新原装正品
深圳市柏新电子科技有限公司
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