FET 类型 :N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压:(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id):(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压:(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 4.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 210nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 9620pF @ 50V FET 功能: -
功率耗散(最大值) :370W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装 :TO-220AB
封装/外壳 :TO-220-3