描述:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC系列:PowerTrench?
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):112nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入
电容(Ciss)(最大值):
4615pF @ 15V功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装 正品现货
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