FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 900mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 900mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 10V 功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装 正品现货
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